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铌酸锂Q开关

铌酸锂Q-开关

G&H电光Q-Switch采用最高的光学质量锂铌酸盐。铌酸锂的电光效应使得对于多种激光类型的Pockels细胞Q切换非常有用,包括ND:YAG,ND:Yalo,Nd:YLF和ER:YLF。铌酸锂Q-Switchs用于军事和商业应用,包括目标指定,范围发现和眼科手术。我们的晶体提供低损耗,高对比度和低波峰失真,并且有资格在300 MW / cm中使用2。我们的电光LN Q-Switch的温度稳定(TS和XTS)版本允许在宽范围的温度范围内操作,同时保持优异的对比度。
电光Q-Switch可用于调制激光腔中的损耗以产生高强度脉冲激光。当将电磁场施加到铌酸锂(LN)的电光活性晶体上时,诱导与称为袋效应的电场成比例的折射率的变化。通过活性晶体的光经历与相互作用长度成比例的相变,改变其极化。通过将晶体放置在一对交叉偏振器之间,可以在非常快速的开关速度下通过或阻挡光。这允许使用G&H锂铌酸锂晶体来制造用于调节激光腔内的光强度的Pockels电池,以实现Q切换并产生非常短,强烈的激光脉冲。高质量的EO Q-Switch具有几个重要特点:
  • “关闭”状态下的损耗非常低,以最大化输出强度
  • “ON”与“OFF”之间的高对比度
  • 能够承受非常高峰激光功率
在G&H,我们生长和抛光我们的高品质锂铌酸锂(LN)晶体内部,施加电极以用于横向模式(即垂直于光学或Z轴的电场)。我们的LN晶体在宽温度范围内提供高消光比,极低的传输损耗和低开关电压和温度稳定性。高性能Ar涂层施加到每个面上,在耐高量的光功率(> 300mW / cm)时,每个表面的损耗降低到≤0.2%。2典型,> 500 mw / cm2根据要求)。

确保温度稳定性

温度稳定性在选择EO Q-Switch方面具有主要重要性,导致我们的TS和XTS温度稳定的产品系列引入。在经常在航空航天中看到的凉爽环境中操作时,典型的铌酸锂Q-Switch遭受了热电电荷堆积,导致过早激起。虽然放射性amerium可用于电离晶体周围的空气并渗出电荷,但这些材料的处理和处理是有问题的。我们使用专有的热化学还原技术来提高我们的LN水晶面的电导率,从而耗尽充电并消除过早激光效果。虽然该过程略微增加了插入损耗,但它允许我们的温度稳定TS和XT Q开关,因为它们在宽范围的操作温度上,同时保持出色的对比度。

EO VS AO Q切换

Q切换也可以通过声光效应实现。AO Q-Switch以MHz开关速度运行,而EO Q-Switch允许GHz切换。根据晶体面和交互长度的尺寸,EO Q-Switch可能需要比AO Q开关更高的功率。更大的光束尺寸要求将更高的功率施加到EO晶体,但这可以通过使用更长的相互作用长度来减轻这一点。G&H工程师的支持可确保每个客户从坚固的范围内查找器到复杂眼科手术系统的粗糙范围内接收到最佳拟合。

铌酸锂Q型开关的应用

范围 - 查找器,目标指示符。

产品 波长 伤害门槛 尺寸 灭绝比例 波前畸变