温度稳定的铌酸锂Q开关

博士。迪特尔•Jundt研发副总裁亚搏开户网址

Gooch&Hoyabopcusego公司提供温度稳定的电光Q开关,可以在广泛的温度范围内工作。我们的设备解决pyro-electric电荷积聚的问题通常导致过早产生激光。这些指控都消散在接近表面的薄层生成,没有必要使用放射性电离源。

温度稳定的电光Q开关
温度稳定的电光Q开关

铌酸锂Q开关长期以来,在Nd:YAG激光系统中一直被用作一种经济有效的解决方案。便携式和航班上目标激光有严格的性能标准包括操作温度低至-40°C。伴随的热释电电荷积累可导致双折射不均匀,从而导致诸如对比度低和过早激光的延迟不良等问题。

解决这个问题的传统方法是提供外部电离源,一旦产生火药电荷,就中和火药电荷。最常见的方法使用放射性镅,材料与复杂的处理和处置的要求。对于在铌酸锂(LN)中引起弱材料电导率的替代方法,并因此提供消散火药电荷的方便方法,人们越来越感兴趣。十年前,这一方法在我们帕洛阿尔托工厂的非光学应用领域被首创(美国专利6,319,430)在过去的几年中,Q开关的应用得到了改进。

我们的网站之间的密切合作已导致我们提供的各种温度稳定(TS)Q开关。下图显示了两个TS变体,以及一个传统的LN Q开关(在左边)。该图像显示漫射白光通过Q开关的21mm长度传输。晶体尺寸为7.4×7.4mm。

白光通过各种Q开关模型的传输
白光通过各种Q开关模型的传输

中间的装置说明化学还原过程不仅导致导电性,但也有一些不希望的光吸收,由于电荷载流子的性质而产生的。幸运的是,典型激光工作波长1064nm处的吸收仅为可见吸收的五分之一。

吸收和导电之间的权衡使得有必要与我们的客户密切合作,并已导致多种TS Q开关。中间的水晶是由热退火之前完成q开关(如图所示左)。减小的程度可以调节,并且会改变Q开关的导电率(越高越好)和光插入损耗(越低越好)。我们已经与美国和欧洲的客户合作,优化Q开关的减小程度,使其与激光相匹配。高增益激光腔需要高电导率以避免预激射,但同时可以容忍较高的插入损耗。低增益系统二极管泵浦)需要较低的插入损耗,但可以容忍更多的去极化没有预激。该器件在1064nm处具有4%的插入损耗,对于非常高增益的激光系统而言是最佳的。尽管这些设备成功地用于正在进行的生产,非均匀分布具有潜在的缺点。例如,减少层接近Y-faces提供电极之间的传导路径,这可能导致电荷迁移和半波电压的不稳定。

去年完成的工作已经导致了右边所示的下一代设备。这些工艺是G&H的专有工艺,并且产生Q开关,该Q开关在整个孔径上具有均匀的吸收,并且获得比先前工艺更高的品质指数(电导率与吸收率的比率)。图中Q开关的插入损耗只有0.6%。但是也可以同样容易地产生更高的目标电导率。克利夫兰的G&H网站,Palo Alto和Ilminster在优化工艺和产品条件方面进行了合作。

激光损伤测试已经表明,我们所有的TS q开关满足典型的损伤阈值的规范300 mw /厘米。TS的版本我们标准尺寸(9 x9x25mm和7.4×7.4 x21mm)是可用的。有关g和h TS寻呼机的进一步信息请联系产品经理,,炎亚纶皮在美国和世界其他地方强尼·艾恩斯德·史密斯